في الوقت الذي تواصل فيه العملاق الصيني هواوي مواجهة قيود الحظر الأمريكي الكامل على المعالجات والتقنيات وحتى خدمات جوجل، تفاجئ هواوي العالم مرة أخرى بظهور براءة اختراع جديدة تشير إلى أنها تعمل على تقنيات تصنيع شرائح بدقة 2 نانومتر – وهي قفزة قد تعيد تشكيل خريطة صناعة المعالجات العالمية.
يعود HiSilicon إلى الواجهة بعد سنوات من الغياب
يعلم الجميع أن شركة HiSilicon – العقل المدبر وراء تطوير شرائح Kirin – قد تلقت ضربة قوية في عام 2019 بعد أن فقدت سعة معالجها لصالح TSMC. أدى هذا الحدث إلى اختفاء خطوط كيرين تقريبًا من السوق. لكن مع انتعاش صناعة الشرائح محلياً داخل الصين، حققت هواوي مؤخراً عودة هادئة ولكن مؤثرة: هواتف مزودة بتقنية 5G ومعالجات Kirin المطورة داخلياً، على الرغم من الشكوك حول اعتماد الشركة على التصنيع بدقة 7 نانومتر فقط، وهي دقة بعيدة كل البعد عن تقنيات 2 نانومتر و3 نانومتر التي تقدمها TSMC وسامسونج.
ومع ذلك، على الرغم من القيود، تمكنت هواوي من تحسين الأداء والكفاءة من خلال مزيج قوي من المعالج ونظام HarmonyOS، مما يثبت أن التكامل بين الأجهزة والبرامج يمكن أن يعوض الفجوات التقنية.
براءة الاختراع التي بدأت كل شيء
الوثيقة التي ظهرت حديثًا – CN119301758A – تحمل عنوان “طريقة دمج المعادن لتصنيع الأجهزة المتكاملة”، والتي حصلت على براءة اختراع في 8 يونيو 2022 وتم نشرها رسميًا في 10 يناير 2025. وتتضمن تفاصيل تتعلق مباشرة بتقنيات تصنيع أشباه الموصلات، خاصة في مجالات الموصلات المعدنية الدقيقة والعوازل الكهربائية وعمليات BEOL وMOL، مما يجعلها أقرب إلى تصميمات الجيل التالي من الأجهزة. المعالجات.
لماذا البراءة مهمة؟
وتستهدف براءة الاختراع تصميم مسارات معدنية بأبعاد أقل من 21 نانومتر، وهي المسافات المعتمدة في رقائق 3 نانومتر و2 نانومتر المتقدمة. وعلى الرغم من أنه لا يحدد تقنية 2 نانومتر بشكل مباشر، إلا أن تفاصيله التقنية تتوافق تمامًا مع متطلبات هذا الجيل.
أين يمكن استخدام هذه التكنولوجيا؟
تشير الوثيقة إلى أنه يمكن تطبيق هذه العملية في:
- طبقات مول
- طبقات بيول
- خطوط الكهرباء في الدوائر المتكاملة
- أنظمة العزل المتقدمة لتقليل السعة وتحسين الأداء
هل سنرى شريحة 2nm من هواوي قريباً؟
وعلى الرغم من أن براءة الاختراع هذه تحمل الكثير من الإمكانات وتكشف عن حلول مبتكرة يمكنها منافسة مصانع الرقائق الكبرى، إلا أن الإجابة تظل معلقة: هل ستستخدم HiSilicon هذه التقنيات لإنتاج أول شريحة 2 نانومتر من هواوي؟
تقنيات جديدة تكشف نوايا هواوي
1. تقنية المباعد متعدد الطبقات
توفر براءة الاختراع طريقة بناء تعتمد على خمسة فواصل مختلفة لتحديد خطوط معدنية دقيقة للغاية دون الحاجة إلى استخدام تقنيات الأشعة فوق البنفسجية باهظة الثمن. تتيح هذه الطريقة تكوين فجوات ترسيب معدنية مثالية في خطوط التصنيع عالية الكثافة لشركة BEOL.
2. اندماج المواد المعدنية المزدوجة
تصف براءة الاختراع عملية فصل ترسيب المعادن الأساسية – مثل النحاس أو الروثينيوم – عن معدن الكوبالت في مراحل متتالية. يوفر هذا الإجراء دقة أعلى، خاصة فيما يتعلق بتقليل أخطاء موضع الحافة (EPE) إلى أقل من 5 نانومتر.
3. تصنيع FSAV ذاتية المحاذاة
إنها طريقة تعتمد على النقش الانتقائي لتشكيل ثقوب دقيقة بمحاذاة مثالية دون تشوهات بسبب الأقنعة الصلبة الانتقائية للغاية.
4. ترسيب ASD للأقنعة الواقية
طريقة تعتمد على ترسيب أقنعة الحماية متعددة المواد على المعادن لمنع أي نقش مفرط أثناء تكوين الوصلات الرأسية – وهو أمر ضروري في خطوط الإنتاج عالية الكثافة.
5. الاعتماد على DUV بدلاً من EUV
ومن أبرز نقاط براءة الاختراع إمكانية تحقيق مسافات معدنية أقل من 21 نانومتر باستخدام تقنية DUV فقط، وهي خطوة يمكن أن تقلل التكاليف بشكل كبير وتمنح هواوي القدرة على تصنيع شرائح متقدمة دون الاعتماد على أدوات الأشعة فوق البنفسجية المحظورة عليها.
